国产芯片动不动就被卡脖子，我们能不能追赶上美国步伐？

一提到国产芯片动不动就被卡脖子，我就气愤无比！但这种场景就像我们在卖方市场下质问卖家：“你有钱赚，你凭什么不卖给我”一样，卖家有一千一万个理由来拒绝你，不管你说什么，人家一副“我是流氓我怕谁”的表情。

从去年的中兴事件，到后面的华为，大疆等中国科技企业被美国所谓的制裁。说实话，我受够了听到这些消息，也像题主一样带着这种“你卡着我，我就自己做，超越给你看”的心态。但是情感上的期望更多的是让我们认清现实和着手去做，具体情况仍然需要客观分析。

在芯片领域，我们到底能不能追赶上美国的步伐？我们先来看一下差距，到底差距在哪里？为什么会导致这个差距？

一，在芯片设计领域，中国做的水平不错，仅次于美国。中国在设计方面的短板是在设计工具方面。

在芯片的设计领域我们做的不错的，芯片设计水平也位列全球第二，连续几年登上世界第一宝座的“神威.太湖之光”超级计算机用的CPU芯片就是典型的代表。而在手机，电脑和服务器CPU芯片性能也达到国际先进水平。而在手机平板等消费者市场5G芯片设计的整合性一点不输高通，甚至在功耗控制与5G基带整合方面还更强。

但是在设计工具方面还存在短板。芯片设计需要依赖电子设计自动化工具(EDA)，这一工具使设计者可以使用计算机进行逻辑编译，化简，分割，综合，优化，布局，布线和仿真等工作，从而完成芯片设计。但是在这块的3家软件服务商是3家美国的公司。

二，在芯片制造领域与美国的差距可能有一二十年的差距，需要不断持续投入去追赶

我曾看过媒体对倪光南老先生的采访，他的解释非常清晰。

芯片制造领域包括制造工艺和制造装备两个方面。芯片制造听起来像传统制造，但是其制造工艺和装备的精密要求远远超过后者。具体工艺又包括，光刻，刻蚀，离子注入，薄膜生长，抛光，金属化，扩散，氧化等。

而与上述工艺对应的是200多种关键制造装备，包括光刻机，刻蚀机，清洗机，切割减薄设备，分选机以及其他工具所需要的扩散，氧化清洗设备等。每种装备的制造技术要求都很高，制造难度大且价格高昂。

有了这些设备还不够，还要开生产线，建厂，制定经营计划，而且建厂和设备的安装和调试就需要2-3年的时间。而芯片设计更新迭代又特别迅速，等设备和厂真正能投产时候是否能满足市场需求也尚且不知。

在材料方面，芯片制造所需的材料大部分都需要进口，有的材料比如光刻胶则完全需要进口。国产材料的销售规模占全球销售的不足5%。这块与美国确实存在较大的差距，有专家评估，我们夜以继日的不断攻克难题不断追赶，也至少需要一二十年的时间，这还没考虑未来国际形势可能的变化。

三，中国半导体起步晚是历史原因，主导理念的偏差是导致创新推进不够是现实原因。

1947年美国贝儿实验室发明了半导体点触式晶体管。到1956年中国才制造成了第一根硅单晶，早期计算机是分立元件(电子管，晶体管)做的，那时候中国还可以跟随国外的计算机技术。但是后面集成电路发展到大规模集成电路时，中国没有集成电路的产业支撑，追赶就很乏力了。

另外我们从理念上说，在很多方面，我们希望能通过更省事的办法解决问题，所谓造不如买，买不如租就是这个时候提出的。实践证明，核心技术是买不来的，也必须通过一代代人的不断积累和奋斗，踏踏实实的追赶。

结论：通过以上篇幅我已经解释清楚了中美之间在芯片领域差距在哪以及为什么会有这个差距。我们通过客观分析了解清楚了现实，也知道我们主要是在芯片设计工具方面以及芯片的制造方面去追赶。虽然需要时间，但是我相信短期我们可以跟上步伐，中期可以超越，长期可以领先。

从历史来看，咱中华民族从来都是愈挫愈勇，愈勇愈奋的。从第一颗原子弹的成功，到第一颗氢弹，第一颗卫星，再到第一艘航母，哪个不是抱着破釜沉舟的心态克服重重困难而取得的成功。顺便说一句，为什么美国不断封锁？其中很重要的原因也是美国也看到了中国在芯片领域取得的进步以及不断取得的成果(年轻的华中科技大学甘棕松教授首次在世界范围内实现了单线9nm线宽的超分辨率光刻；在刻蚀机方面，美国归国的科学家尹志尧2017年正式敲定5nm刻蚀机)。我只能说，美国技术的封锁是源于对中国科技崛起的恐惧，这也正说明，中国正在崛起，崛起和强大都会是必然，只是眼下，我们需要踏踏实实一步一步的努力。